FNIRSI DSO-TC4 3-в-1 портативный цифровой осциллограф 10 МГц 48 МС/с, генератор сигналов и тестер компонентов
210 руб.
Артикул: 42057568
есть в наличии (10)
FNIRSI DSO-TC3 сочетает в себе цифровой осциллограф с частотой дискретизации 48MS/s и полосой пропускания 10 МГц, генератор сигналов, поддерживающий 13 типов сигнала, частотой до 50 кГц и тестер электронных компонентов, поддерживающий автоматическое определение типа и расположения выводов тестируемого компонента, обнаружение и анализ производительности и характеристик полупроводниковых компонентов, таких как транзисторы, диоды, триоды, полевые транзисторы (FET) и т. д.
Устройство оснащено оснащен 2.8” цветным TFT-дисплеем и встроенным литиевым аккумулятором, емкостью 1500 мАч. Зарядка аккумулятора осуществляется от порта Type-C напряжением 5V. Размеры устройства 90x142x27.5мм.
Характеристики осциллографа:
- Частота дискретизации в реальном времени: 48MSa/s
- Полоса пропускания: 10 МГц
- Входное сопротивление: 1MΩ
- Тип сигнала: AC/DC
- Вертикальная чувствительность: 10mV/div - 10V/div (X1)
- Максимальное измеренное напряжение: 1:1 Зонд: 80Vpp (+40V), 10:1 Зонд: 800Vpp (+400V)
- Диапазон временной развертки:50нс-20с
- Режим триггера: АВТО / Нормальный / Одиночный
- Тип триггера: Нарастающий фронт, Спадающий фронт
- Функция заморозки волны: Да
- Функция автоматического измерения: Max, Min, Avg, RMS, Vpp, Frequency, Cycle, Duty Cycle
Характеристики генератора сигналов:
- Форма сигнала: Поддерживает 13 типов волны
- Частота волны: 0-50кГц
- Рабочий цикл волны: 0-100%
- Амплитуда волны: 0.1V-3.0V
Характеристики тестера компонентов:
- Транзистор: Коэффициент усиления "hfe"; Напряжение база-эмиттер "Ube", Ic/Ie, Обратный ток утечки коллектор-эмиттер "Iceo", Ices, Прямое падение напряжения защитного диода "Uf"
- Диод: Прямое падение напряжения <5 В (Прямое падение напряжения, Емкость перехода, Обратный ток утечки)
- Диод Зенера: Обратное пробивное напряжение 0,01~32 В (испытательная зона KAA)
- Полевой транзистор (FET): JFET: Емкость затвора "Cg", Ток стока Id при "Vgs", Прямое падение напряжения на защитном диоде "Uf", IGBT: Ток стока Id при Vgs, Прямое падение напряжения на защитном диоде Uf, MIOSTET: Пороговое напряжение "Vt", Емкость затвора "Cg", Сопротивление сток-исток "Rds", Прямое падение напряжения на защитном диоде "Uf"
- Однонаправленный SCR: Напряжение запуска <5 В, уровень затвора (напряжение затвора)
- Двунаправленный SCR: Ток срабатывания <6 мА (напряжение затвора)
- Конденсаторы: 25пФ~100мФ, Значение емкости, Коэффициент потерь "Vloss"
- Резисторы: 0.01 Ом~50 МОм
- Индуктивность: 10 мкГн~1000 мкГн, сопротивление постоянному току
- DS18B20: Датчик температуры, контакты: GND, DQ, VDD
- DHT11: Датчик температуры и влажности, контакты: VDD, DATA, GND